Germanium Implantation into Silicon: An Alternate Pre‐Amorphization/Rapid Thermal Annealing Procedure for Shallow Junction Formation

D. K. Sadana, W. Maszara, J. J. Wortmann, G. A. Rozgonyi, W. K. Chu

Journal of The Electrochemical Society · 1984 · 67 citations · 0 references

Concepts

Abstract

Etude par microscopie electronique et spectrometrie SIMS du comportement au recuit de Si preamorphise par implantation de bore, implante ou non dans une seconde etape par BF 2