Energy levels for platinum and palladium in silicon measured by the dark transient capacitance technique

Abstract

The energy levels and electrically active concentrations for platinum in n- and p-type Si, and for palladium in n-type silicon are measured by the dark transient capacitance technique, p+—n—p+ and n+—p—n+ structures have been platinum-diffused at low temperatures (820 to 844 °C). Two levels are found, a donor at Ev + 0.32 eV in p-type silicon and an acceptor at Ec — 0.24 eV in n-type silicon. These two levels are associated with the usual substitutional site (Pt(I)). The second usual site (Pt(II)) does not appear in samples, p+—n—p+ structures have been palladium-diffused at 898 °C. An acceptor level at Ec — 0.20 eV is found which is probably associated with the substitutional site of palladium in silicon. Nous avons déterminé, par la méthode des transitoires isothermes de capacité, les niveaux d'énergie et les densités d'atomes électriquement actifs pour le platine dans du silicium de type n et p et pour le palladium dans du silicium de type n. Des structures p+—n—p+ et n+—p—n+ ont été dopées au platine à basse température (820 à 844 °C). Nous trouvons deux niveaux, un donneur à Ev + 0.32 eV dans le type p et un accepteur à Ec — 0.24 eV dans le type n. Ces deux niveaux sont associés au site usuel substitutionnel (Pt(I)). Le second site couramment rencontré, (Pt(II)), n'est pas présent dans nos échantillons. Nous avons effectué des diffusions de palladium à 898 °C sur des structures p+—n—p+ et nous trouvons un niveau accepteur à Ec — 0,20 eV qui est probablement associé au site substitutionnel du palladium dans le silicium.