Flash lamp annealing of arsenic implanted silicon

Abstract

Flash lamp annealing of ion implanted Si layers is investigated by Rutherford backscattering, sheet resistivity measurements, and transmission electron microscopy. Silicon substrates, 〈100〉-orientation, are implanted with As ions (100 keV, 1015/cm2). The energy density of the light pulses is varied between 50 and 85 J/cm2 and the pulse length was 10 ms (heat radiation annealing regime). It is found that the annealing regime is effective in recrystallization of amorphous Si layers and that residual defects in form of dislocation loops remain. Das Ausheilverhalten ionenimplantierter Schichten in Si nach Blitzlampenbestrahlung wird mit den Methoden der Rutherford-Rückstreuung, Schichtwiderstandsmessung und Transmissions-elektronenmikroskopie untersucht. Zu diesem Zweck werden Si-Substrate, 〈100〉-orientiert, mit As-Ionen (100 keV, 1015/cm2) implantiert. Die Energiedichte der Lichtimpulse wird zwischen 50 und 85 J/cm2 variiert und die Impulsdauer beträgt 10 ms (Wärmestrahlungs-Ausheilregime). Die Ergebnisse zeigen, daß vollständige Rekristallisation der amorphisierten Si-Schichten auftritt, und daß Restdefekte in Form von Versetzungsschleifen verbleiben.