100 keV Electron Beam Induced Decomposition of II–VI Compounds

Abstract

The process of decomposition within 100 keV electron beam irradiated II–VI compounds is described. The generated point defects initially interact with the existing defect microstructure when present, leading to dislocation climb or the removal of ion milling damage, for example, prior to the formation of voids which subsequently become decorated by small precipitates. The susceptibility to damage follows the trend ZnS > CdS ≈︁ ZnSe > CdTe > ZnTe. The time for charge relaxation of a II–VI compound ionised anion generally lies in the range 4 × (10−15 to 10−14) s, while values for II–VI compound radiation enhanced diffusivities are typically of the order of 10−13 cm2 s−1. Der Zersetzungsprozeß innerhalb von mit 100 keV Elektronen bestrahlten II–VI-Verbindungen wird beschrieben. Zunächst stehen die erzeugten Punktdefekte mit der bereits vorhandenen Defektmikrostruktur in Wechselwirkung, was z. B. zum Klettern von Versetzungen oder zur Beseitigung von Schäden durch „Ionmilling”︁ führt, ehe Hohlräume entstehen, die dann durch kleine Abscheidungen dekoriert werden. Die Anfälligkeit fur Schädigungen folgt der Reihe ZnS > CdS ≈︁ ZnSe > CdTe > ZnTe. In einer II–VI-Verbindung beträgt die Zeit fur Ladungsrelaxation eines ionisierten Anions 4 × 10−15 bis 4 × 10−14 s, während das strahlungsgestützte Diffusionsvermögen in der Größenordnung von 10−13 cm2 s−1 liegt.