Low-Temperature, Catalyzed Growth of Indium Nitride Fibers from Azido-Indium Precursors

Abstract

Für neue blauviolette Laserdioden und LEDs werden InN-haltige Legierungen als lichtemittierende Komponenten benötigt; allerdings zersetzt sich InN unter den für das Kristallwachstum typischerweise erforderlichen Temperaturen (427 – 550 °C). Nach einer neuen Methode konnte nun InN in Form einer Faser bei nur 203 °C synthetisiert werden (siehe Bild). Diese Methode bietet sich als Zugang auch zu anderen thermisch instabilen Materialien an.