Determination of metallic impurities on the surface of silicon wafers.

Abstract

シリコンウェーハ表面に存在する自然酸化膜による微量の金属不純物の定量分析法を検討した.HF蒸気により自然酸化膜を分解し,完全に回収した溶液をメタル高温炉原子吸光分析法で分析する.本法による検出下限は,用いた原子吸光分析装置の検出下限値から換算した.その値は,Al:2×1010atoms/cm2,Fe:2×109atoms/cm2,Ni:2×109atoms/cm2,Cu:3×109atoms/cm2である.定量的にシリコンウェーハを汚染させて熱処理前後の各種金属不純物の挙動を,今回検討した分析法,SIMS分析法及びICP-AES分析法で調べた.その結果,元素によって挙動は異なり,特にAl,Feは熱酸化膜中に残存しやすく,Ni,Cuはシリコン内部に拡散しやすいことが明らかになった.