VERY RAPID GROWTH OF HIGH QUALITY GaAs, InP AND RELATED III-V COMPOUNDS

Abstract

Application of the hydride growth process at overall pressures below 5 x 1 0 ~ Pa yields very high rates of deposition for binary (GaAs, InP) and ternary (GaInAs, GaAsP) 111-V semiconductor films.It is proposed that at these conditions the hydrides AsH3 and pH3 reach the substrate surface undecomposed and react directly with the group 111 chloride (GaC1, InC1).The rates can be convenently adj~~sted over a wide range by varying the reactant pressures.Films of excellent morphology with low background doping, high electron mobilities and well resolved PL spectra were obtained.Des vitesses de croissance pour les semiconducteurs 111-V binaires (GaAs, InP) et ternaires (GaAsP, GaInAs) tres BlevBes ont etd obtenues en conduisant le proced de croissance dans le systdme A hydrure A une pression totale inferieure B 5.10 2 Pa.A ces conditions , les hydrures AsH3 et pH3 semblent atteindre le substrat non dBcomposd et rdagissent directement avec les chlorures du groupe 111 (GaC1, InC1).Les vitesses de croissance peuvent etre ajustkes dans un domaine ktendu par une variation de la pression partielle des diffdrents composants de la rdaction.Les couches possedent une bonne morphologie de surface, un faible niveau de dopage et une grande mobilitk des klectrons.De plus, les spectres de photoluminescence obtenus sur ces couches montrent des signaux bien rdsolus.