Explosive Liquid-Phase Crystallization of Thin Silicon Films during Pulse Heating

Abstract

Spontaneous initiated explosive liquid-phase epitaxy is realized by use of a free running Nd-glass laser. The conditions for initiation and stationary movement of the explosive front gained from model calculations are in agreement with the results from in-situ measurements of reflectivity. The high velocity of the interface of about 10 ms−1 and the TEM picture with radial around the initiation centre arranged single crystalline stripes support the explanation according to an explosive liquid-phase epitaxy. Unter Benutzung eines freischwingenden Nd-Glas-Lasers wird die spontan gezündete Explosivflüssigphasenepitaxie realisiert. Die aus einer Modellrechnung für planare Phasenfronten gewonnenen Bedingungen für die Zündung und Ausbreitung einer Explosivfront stehen im Einklang mit Daten aus in-situ-Reflexionsmessungen. Die hohe Geschwindigkeit der Phasenfront mit ≈︁ 10 ms−1 und der TEM-Nachweis streifenförmiger, radial um das Zündzentrum angeordneter einkristalliner Gebiete unterstützen eine Erklärung mittels explosiver Flüssigphasenepitaxie.