Study of recombination processes from the magnetoconcentration effect

Abstract

The theory of the magnetoconcentration effect is developed for non-linear recombination laws and for extrinsic semiconductors. Comparison with experimental results for several sample-types and surface treatments proves the non-linearity of carrier recombination (for the bulk as well as for the surface); the coefficients of these laws and several characteristic parameters of bulk and surface recombination centres (densities, capture cross-sections) are deduced. Such a study can be applied to similar known phenomena (electrical anisotropy, magnetodiodes, injections, etc.). Nous développons la théorie de l'effet de magnétoconcentration pour des lois de recombinaison non linéaires et pour des semiconducteurs extrinsèques. La comparaison avec les résultats expérimentaux met en évidence la non linéarité des lois de recombinaison (en volume et en surface) et permet d'en déterminer les coefficients ainsi que des grandeurs caractéristiques des centres de recombinaison (densité, coefficients de capture). Nous indiquons comment la měme démarche peut s'appliquer à des phénomènes voisins (anisotropie électrique, magnétodiodes, injections, etc.).