X-ray spherical-wave diffraction in the bragg case for bent Si crystals

Abstract

Oxidized wafers of silicon are studied by means of X-ray diffraction of a spherical wave in the Bragg (reflection) case. Oxide layers of thicknesses ranging form 50 to 940 nm are found to bend the samples with the measured radii of curvature between 650 and 50 m, respectively. Characteristic interference fringes arising in the topographs are shown to be due to the bending only. Good agreement is obtained between the experimental and calculated fringe spacings and intensity distributions. Oxidbeschichtete Siliziumscheiben werden mittels Beugung sphärischer Röntgenstrahlen im Braggfall (Reflexion) untersucht. Die Anwesenheit der Oxidschichten, deren Dicken im Bereich von 50 bis 940 nm liegen, führt zu einer Krümmung der Proben. Die gemessenen Krümmungsradien liegen entsprechend zwischen 650 und 50 m. Es wird gezeigt, daß die in den Topogrammen auftretenden Interferenzstreifen ihre Ursache allein in der Krümmung des Kristalls haben. Es konnte eine gute Übereinstimmung zwischen experimentell ermittelten und berechneten Streifenabständen und Intensitätsverläufen ermittelt werden.