Interpretation of the EBIC contrast of dislocations in silicon

Abstract

EBIC contrast measurements of individual surface-parallel dislocations lying in the p-region of a planar silicon diode and TEM analysis are correlated in order to study the EBIC contrast behaviour of dislocations of different type. The experimental results are in good agreement with theoretical predictions. In particular, it is possible to classify the dislocations with respect to their type by the real strength of the recombination activity. The surface recombination velocity and the minority carrier diffusion length of the bulk are determined using a simple theoretical model. Zur Untersuchung des EBIC-Kontrastverhaltens von Versetzungen unterschiedlichen Typs werden EBIC-Kontrastmessungen an oberflächenparallelen Versetzungen im p-Gebiet einer Si- Planardiode und TEM-Analysen korreliert. Die experimentellen Ergebnisse stimmen gut mit theoretischen Voraussagen überein. Es ist möglich, die Versetzungen in verschiedene Typen ent- sprechend ihrer realen Rekombinationswirksamkeit einzuteilen. Die Oberflächenrekombinations- geschwindigkeit und die Diffusionslälnge der Minoritätsladungsträlger im Volumen werden mittels eines einfachen theoretischen Modells bestimmt.