Characterization of Deep Energy Levels in Mercuric Iodide

Abstract

The past few years have seen an increasing interest in HgI2 detectors for room temperature γ- and X-ray spectrometry. Performance and effective thickness of these detectors are presently limited by carrier trapping which results in incomplete charge collection. Characterization of the trapping levels is performed by several photoelectronic methods (photoconductivity, thermal and optical quenching of the photoconductivity, TSC, lifetime measurement). A model is proposed taking into account the results obtained by these techniques in both, vapor phase and solution grown crystals. Depuis quelques années, les détecteurs Hgl2 présentent un intérět croissant pour la spectrometric des photons γ et × à la température ordinaire. Les performances et l'épaisseur utile de ces détecteurs sont actuellement limitées par des phénomènes de piégeage qui affectent la collecte des charges créées par les photons. La caractérisation des niveaux localisés dans la bande interdite, responsable de ce piégeage, a été menée par differentes méthodes photoelectroniques (photoconductivité, quenching thermique et optique de la photoconductivité TSC, mesure de durée de vie). Un modèle est proposé prenant en compte les résultats obtenus par ces méthodes sur des cristaux réalisés soit à partir de la phase vapeur, soit en solution.