Tuning the Semiconducting Properties of Sexithiophene byα,ω-Substitution—α,ω-Diperfluorohexylsexithiophene: The First n-Type Sexithiophene for Thin-Film Transistors

Abstract

Ein Wechsel von p- zu n-Halbleitereigenschaften, durch Substituenten hervorgerufen, wurde beim Perfluorhexyl-funktionalisierten Sexithiophen 1 festgestellt. Dieses ist thermisch stabiler und flüchtiger und hat eine höhere Elektronenaffinität als die nicht fluorierten Verbindungen 2 und 3. Aufgedampfte Filme von 1 verhalten sich wie n-Halbleiter und sind geeignet zur Herstellung von Dünnfilmtransistoren mit einer elektrochemischen Beweglichkeit von etwa 0.02 cm2 V−1 s−1 – dies ist einer der höchsten für organische n-Halbleiter beschriebenen Werte.