Effect of SiO2 addition on the microstructure and electrical properties of ZnO-based varistors

Abstract

微观结构和有在 0-1.00mol% 的范围的 SiO2 内容的基于 ZnO 的变阻器的电的性质被一条稳固的反应线路准备。变阻器被扫描电子显微镜学， X 光检查衍射，精力散的 X 光检查 spectrometry，诱导地联合的血浆原子的排放 spectrometry，和 X 光检查光电子光谱学描绘。结果显示有 SiO2 的 ZnO 减少的平均谷物尺寸满足增加。新秒阶段 Zn2SiO4 和玻璃阶段 Bi2SiO5 被发现。元素 Si 主要在谷物边界存在并且在控制 Bi2O3 蒸发起一个重要作用。电的测量证明 SiO2 的加入能显著地改进基于 ZnO 的变阻器的非线性的性质，并且有 SiO2 的变阻器的非线性的系数在 36.8-69.5 的范围。变阻器电压到达 463 V/mm 的最大的价值，漏电流在 0.75mol% 的 SiO2 内容到达 0.11 A 的最小的价值。