Resistive switching effects in oxide sandwiched structures

Abstract

抵抗切换(RS ) 行为为数据存储由于他们的有希望的潜力吸引了大兴趣。在各种各样的材料之中，基于氧化物的设备看起来就他们有互补金属氧化物半导体技术的方便制造和相容性而言更有益，尽管内在的机制由于 RS 行为的差异仍然是争论的。在这评论，我们集中于基于氧化物的 RS 记忆，工作机制能根据一个所谓的细丝模型的意见基本上在被理解。细丝形成 / 破裂进程，途径发展了检测并且描绘细丝，在基于氧化物的抵抗随机改进 RS 和量传导力行为的表演的几次有效尝试存取存储器(RRAM ) 设备分别地被探讨。