p–n-type conversion and optical properties of 2.0 MeV electron-irradiated ZnSnAs2

Abstract

The effect of 2.0 MeV electron bombardment at 300 K on the electrical and optical properties of p-ZnSnAs2 is studied, p–n-type conversion is found upon electron irradiation and suggests that the bombardment-induced defects are donors. Isochronal annealing experiments indicate three regions of annealing at about 80 to 180 °C, 190 to 230 °C, and above 300 °C. Absorption bands due to intervalence band transitions are observed in initial p-ZnSnAs2. Es werden die elektrischen und optischen Eigenschaften von bei 300 K mit 2,0 MeV-Elektronen bestrahltem p-ZnSnAs2 untersucht. Eine p–n-Konversion wird gefunden, die auf eine bevorzugte Erzeugung von Donatorzentren bei der Elektronenbestrahlung hinweist. Es werden bei den Temperaturen 80 bis 180 °C, 190 bis 230 °C und über 300 °C Stufen im isochronen Tempern gefunden. Die optische Absorption von ursprünglichem p-ZnSnAs2 wird untersucht.