Thermal ionization rates and energies of electrons and holes at silver centers in silicon

Abstract

The thermal ionization rates of electrons and holes at the silver centers in silicon have been measured using the dark-capacitance transient technique. The ionization energies of the first donor and first acceptor state of silver are determined from the temperature dependences of the ionization rates. These are ED – EV = 0.395 eV and EC – EA = = 0.578 eV, respectively. The electric field dependences of the thermal ionization rates are also given. Die thermischen Ionisationsraten von Elektronen und Löchern an Silberzentren in Silizium wurden gemessen. Dabei wurde die Kapazitätsmethode benutzt. Die Ionisationsenergien des ersten Donatorniveaus und des ersten Akzeptorniveaus von Silver werden mit Hilfe der Temperaturabhängigkeit der Ionisationsraten bestimmt. Sie betragen ED – EV = 0,395 eV und EC –EA = 0,578 eV. Die Abhängigkeit der thermischen Ionisationsraten vom elektrischen Feld wird ebenfalls angegeben.