Zero-Temperature-Coefficient SAW Devices on AlN Epitaxial Films

Abstract

De nouvelles technologies de couches minces sont indispensables pour integrer les dispositifs a onde acoustique de surface ayant un coefficient de variation thermique nul avec des dispositifs semiconducteurs actifs sur une meme pastille, ce qui donnerait un circuit integre a haute frequence sur support de silicium ou support de silicium sur saphir. Les couches minces de AlN ont un interet dans le domaine du GHz a cause de la vitesse de propagation elevee. Des lignes a retard a coefficient de variation thermique nul fonctionnant au-dela de 1 GHz sont fabriquees avec une combinaison AlN/saphir. Croissance cristalline; evaluation des parametres; pertes de propagation, dispersion en frequence, epaisseur de couches; coefficient de variation thermique du retard; insertion dans le circuit integre; effet de la temperature sur le correlateur d'ondes acoustiques de surface