Capacitance of cadmium telluride Schottky diodes

Abstract

The ac small signal capacitance of Schottky structures obtained on undoped (106 Ωcm) and chlorine compensated (108Ωcm) p-type CdTe as well as on low resistivity (300 to 1000 Ωcm) n-type material is analyzed. For the lower resistivity p- and n-type samples, deviations from the expected behaviour are observed, which are explained in terms of a model taking into account the existence of a predominating deep level. Its energy level, capture cross-section and trap density are experimentally determined and compared to values given by other methods. For the chlorine compensated CdTe a long time polarization is demonstrated. On détermine la capacité de diodes Schottky réalisées sur des cristaux de tellurure de cadmium de type p respectivement non dopés (106 Ωcm) et compensés par le chlore (108 Ωcm), ainsi que sur des matériaux de type n de plus faible résistivité (300 à 1000 Ωcm). Pour les diodes réalisées, tant sur les cristaux de type n que p de plus faible résistivité, on observe des déviations importantes par rapport aux prévisions. Ces écart peuvent ětre expliqués à l'aide d'un modèle tenant compte de l'existence d'un niveau profond prédominant. Nous avons pu déterminer sa position énergétique, sa section efficace de capture et sa concentration. Les valeurs obtenues ont été comparées à celles données par d'autres techniques. Les cristaux compensés présentent une capacité indépendante de la tension. Une polarisation avec une constante de temps longue a pu ětre mise en évidence.