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Spectroellipsometric Investigation of LPCVD Polysilicon: As Deposited and After Hydrogenation

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1996

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Abstract

On a etudie, par spectroellipsometrie, du silicium polycristallin apres depot a 570 °C et 620 °C, puis apres hydrogenation. Les comportements des indices de refraction et d'absorption en fonction de la longeur d'onde sont presentes. Cet article contient l'evaluation de la rugosite de la surface et de la fraction cristalline du silicium polycristallin en utilisant l'approximation du milieu effectif de Bruggeman. Un essai d'evaluation pour les deux premieres transitions interbande permet de calculer des spectres spectroellipsometriques; la comparaison avec d'autres mesures est aussi presentee.

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