Determination of the temperature independence of the capture cross-section of the gold acceptor level for electrons in n-type silicon

Abstract

The temperature independence of the capture cross-section of the neutral Au-acceptor level for electrons in silicon, σn, in the range of 172 to 316 K is found. The measurements were performed at high-resistivity, Au-compensated single-injection SCLC diodes by means of a pulse and a small-signal capacitance method. In der vorliegenden Arbeit wird die Temperaturunabhängigkeit des Wirkungsquerschnitts σn des neutralen Au-Akzeptorniveaus für Elektronen in Silizium im Temperaturbereich 172 bis 316 K nachgewiesen. Die Messungen wurden an hochohmigen Au-kompensierten Einfachinjektions-SCLC-Dioden mit Hilfe einer Puls- und einer Kleinsignal-Kapazitätsmethode durchgeführt.