SEM cathode-luminescent studies of plastically deformed gallium phosphide

Abstract

The scanning electron microscope was used to study the influence of plastic deformation on the cathode-luminescent emission from GaP epitaxial layers grown on pulled substrates. A cross-hatched pattern observed in the bent region was interpreted as the traces of the {111} slip planes. The slip lines were observed to break up into lines of dots, the points of emergence of dislocations, where the deformation was less severe. The CL signal from the epi-layer decreased by >80% following bending, while that from the substrate increased, possibly as a result of gettering action. Le microscope électronique à balayage est utilisé d'étudier l'influence de la déformation plastique sur l'émission cathode-luminescence des GaP couches epitaxial croissé sur les substrats tirés. Un dessin contre-haché observé à la région courbée a interprété d'ětre les traces des plans de glissement {111}. Les lignes de glissement ont observé à diviser en les rangs des points noirs, les points d'émergence des dislocations, où la déformation etait plus petite. Le signal cathode-luminescent de la couche épitaxial a diminué de >80% suivant la deformation, en měme temps que l'émission du substrat a s'accru, peut-ětre à cause de l'action du getter.