On the Energy Spectrum of Dislocations in Silicon

Abstract

Using deep level transient spectroscopy (DLTS) the defects introduced into silicon by plastic deformation are investigated with respect to their capture and emission characteristics. In agreement with what has been found by electron spin resonance (EPR), kind and density of the detected localized states strongly change with deformation temperature and during anneal around 0.6 Tm (Tm melting temperature). While part of this effect can be certainly explained by anneal out of point defects, there must be a structural change in the core region of the dislocation, since the dislocation density remains unchanged during anneal. Die Defekte, die in Silizium durch plastische Verformung entstehen, wurden mit Hilfe einer Kapazitätsspektroskopie (DLTS) bezüglich ihrer Einfangs- und Emissionscharakteristik untersucht. In Übereinstimmung mit den Ergebnissen der Elektronenspinresonanz (EPR) ändern sich Art und Dichte der nachgewiesenen lokalisierten Zustände mit der Verformungstemperatur und während des Ausheilens bei etwa 0,6 Tm (Tm Schmelztemperatur). Während ein Teil dieses Effekts sicherlich auf das Ausheilen von Punktdefekten zurückzuführen ist, muß es auch eine strukturelle Änderung im Gebiet des Versetzungskernes geben, da die Versetzungsdichte durch die Glühung nicht geändert wird.