HREM identification of "one-dimensionally-disordered" polytypes in the SiC (CVI) matrix of SiC/SiC composites

Abstract

2014 La matrice de carbure de silicium des composites SiC/SiC a t examine d'un point de vue chimique et structural par spectroscopie de pertes d'nergie d'lectrons (EELS) et par microsco- pie lectronique haute rsolution (MEHR). La croissance colonnaire des cristaux de la matrice et leur distribution radiale par rapport aux fibres qui constituent le renfort sont caractristiques de ce matriau. La st0153chiomtrie des cristaux a t vrifie (Si/C = 1). La structure cubique (polytype 3C) de certains d'entre-eux a t identifie l'aide des diagrammes de diffraction. Dans le cas d'autres cris- taux, dits "polytypes de dsordre unidimensionnel", l'imagerie haute rsolution s'est avre ncessaire pour mettre en vidence la dsorganisation dans la direction d'empilement des couches de ttradres. La rsolution ponctuelle, 0,19 nm, du microscope PHILIPS CM30-ST, fonctionnant 300 kV, permet de reconnatre la structure projete de SiC et d'valuer le degr de dsordre dans ces polytypes. La si- mulation numrique des images nous a permis d'interprter sans ambiguit nos clichs exprimentaux.