A TEM investigation of the dislocation rosettes around vickers indentation in GaAs

Abstract

The rosette dislocations generated, at room temperature, by micro-indentation of the (001) surface of semi-insulating or n-doped GaAs are studied by TEM. The [110] rosette arms contain perfect α-dislocations: they are prismatic dislocation half-loops moving on the glide prisms formed by the (111) and (111) planes. The [110] rosette arms correspond to the propagation of partial β-dislocations, leading to the formation of mechanical microtwins on the (111) and (111) planes. All the twinning dislocations are of the 30° (β) type and this is consistent with the lower mobility of this type of partial dislocation. Des cristaux de GaAs semi-isolant ou dopé n ont été indentés à température ambiante sur une face (001). Les rosettes de dislocations ainsi créées ont été étudiées par microscopie électronique en transmission. Les branches de rosette parallèles à la direction [110] sont composées de dislocations parfaites α: il s'agit de demi-boucles de dislocations prismatiques qui ont glissé sur les plans (111) et (111). Les branches de rosette parallèles à la direction [110] correspondent au glissement de dislocations partielles β, glissement qui conduit à la formation de macles mécaniques sur les plans (111) et (111). Toutes les dislocations de macle observées sont du type 30° (β) et ceci est bien en accord avec une mobilité plus faibie des dislocations partielles de ce type.