Photoelectronic properties of n-GaSe

Abstract

Electron and hole trapping centres of GaSe(I2) grown by chemical transport method are investigated by using photoelectronic techniques, such as thermally stimulated current (TSC), thermal quenching of photoconductivity (TQ) and spectral response of photoconductivity. Several electron trapping centres, between 0.15 and 0.65 eV below the conduction band, with densities ranging from 1013 to 1016 cm−3 and capture cross-sections between 10−13 and 10−19 cm−2 are found. Three hole trapping centres, acting as sensitizing centers for photoconductivity, are also present at 0.40, 0.27, and 0.21 eV above the valence band. They are responsible for a superlinearity in the behaviour of the photocurrent versus light-intensity at low temperature. Elektronen- und Löcherhaftstellen von GaSe(J2), das durch chemische Transportmethoden gezüchtet wurde, werden mit photoelektrischen Methoden, wie thermisch stimulierte Ströme (TSC), thermische Tilgung der Photoleitung (TQ) und spektrale Abhängigkeit der Photoleitung, untersucht. Verschiedene Elektronenhaftzentren zwischen 0,15 und 0,65 eV unterhalb des Leitungsbandes, Dichten von 1013 bis 1016 cm−3 und Wirkungsquerschnitten zwischen 10−13 und 10−19 cm−2 werden gefunden. Drei Löcherhaftstellen, die als Sensibilisierungszentren für die Photoleitung wirken, sind ebenfalls vorhanden bei 0,40, 0,27 und 0,21 eV oberhalb des Valenzbandes. Sie sind verantwortlich für eine Superlinearität im Verhalten der Photostrom-Lichtintensitätscharakteristik bei tiefen Temperaturen.