Influence of chemical composition within the range of homogeneity on phase transition and transition temperature of V3Si single crystals. II. On the defect structure of V3Si single crystals

Abstract

By combined measurements of lattice parameters and weighing densities conclusion is drawn, that substitutional defects are the dominating point defects within the range of homogeneity of V3Si (excess vanadium). As revealed by TEM and Lang techniques, dislocations in as-grown crystals preferably form low angle boundaries. Aus dem Vergleich von Auftriebsdichtemessungen mit dem aus Gitterkonstantenbestimmungen ermittelten Elementarzellenvolumen wird der Schluß gezogen, daß Einfachersetzungen im Homo-genitätsbereich von V3Si (V-reiche Seite) dominieren. Nach TEM- und Lang-Aufnahmen bilden Versetzungen in aus der Schmelze gezüchteten Kristallen vorwiegend Kleinwinkelkorngrenzen.