Transport properties of thin iron pyrite films

Abstract

Siemiconducting thin iron pyrite films are grown by thermal evaporation. The resistivity of the films is measured in the thickness range 10 to 150 nm. Other correlated experimental techniques like Hall effect and TCR are used to confirm the semiconducting nature of the films. The films of thickness higher than 50 nm yield the saturated value for the resistivity. The F-S theory is used to estimate the mean free path of the carriers. Dünne halbleitende Eisenpyritschichten werden mittels thermischer Aufdampfung hergestellt. Der Widerstand der Schichten wird im Dickenbereich 10 bis 150 nm gemessen. Andere korrelierte experimentelle Techniken, wie Halleffekt und TCR werden benutzt, um die halbleitende Natur der Sehichten zu bestätigen. Schichten mit einer Dicke von mehr als 50 nm ergeben einen Sättigungswert für den Widerstand. Die F-S-Theorie wird benutzt, um die mittlere freie Weglänge der Ladungsträger zu berechnen.