Photon pressure effects in semiconductors

Abstract

Expressions are derived for the responsivity of photon pressure detectors in the form of longitudinal voltage generators. The suitability of various semiconductors is considered and it is pointed out that other methods of exploiting the effect may have advantages. On dérive les expressions pour la réponse des detecteurs de la pression de radiation en forme des generateurs du voltage longitudinales. La convenance des semiconducteurs diverses est considerée et on suggère qu'autres méthodes d'utiliser l'effect auront les avantages.