Dislocation dynamics in the plastic deformation of silicon crystals. II. Theoretical analysis of experimental results

Abstract

Experimental results on the deformation of silicon crystals reported in a foregoing paper are discussed on the basis of a model and a hypothesis so far proposed. The dependence of the upper and the lower yield stresses on the temperature and the strain-rate can be described reasonably well by the model of Haasen et al. Origins for some discrepancies between the results of the model and the experiments are discussed. The behaviour of the effective stress in the deformation stage after the middle of stage 0 is well described by the hypothesis of the steady state of deformation proposed by Sumino. The relation between the condition for the lower yield point and that for the steady state of deformation is discussed. Die Ergebnisse der Verformung von Siliziumeinkristallen, die in einer vorhergehenden Arbeit untersucht wurde, werden auf Grund eines Modells und einer bis jetzt vorgeschlagenen Hypothese diskutiert. Die Abhängigkeit der Ober- und Unterstreckgrenze von der Temperatur und der Verformungsgeschwindigkeit kann mit dem Modell nach Haasen et al. gut beschrieben werden. Die Ursachen einiger Verschiedenheiten zwischen den Resultaten des Modells und der Experimente werden diskutiert. Das Verhalten der Effektivspannung im Verformungsbereich nach der Mitte des Bereichs 0 wird mit der Hypothese des stationären Zustands der Verformung, die von Sumino vorgeschlagen wurde, gut beschrieben. Das Verhältnis zwischen der Bedingung für die Unterstreckgrenze und der für den stationären Zustand der Verformung wird diskutiert.