Study on fundamental defects and their effect on GaAs device properties

Abstract

2014 L'état de notre compréhension des relations entre les paramètres du matériau et de la tension seuil du transistor GaAs à effet de champ est présenté brièvement sous l'angle des réactions entre défauts ponctuels.L'accent est d'abord mis sur les dislocations dans GaAs semi-isolant (LEC) et sur leur rapport avec la dispersion des tensions seuil.On discute ensuite des défauts ponctuels associés à ces dislocations, auxquels on attribue la dispersion des tensions seuil.On montre qu'un recuit haute température produit une augmentation de la concentration d'EL2 et une homogénéisation des caractéristiques des dispositifs, même en présence de dislocations.Un modèle possible de défauts au voisinage des dislocations, basé sur des interstitiels d'arsenic, et une évolution de ces défauts, en cours de croissance et de cycles de recuit est proposé.