Effect of Reaction Temperature and Time on the Structural Properties of Cu（In,Ga）Se2 Thin Films Deposited by Sequential Elemental Layer Technique

Abstract

铜铟镓硒化物 Cu 的薄电影(ln， Ga ) Se2 (帝国参谋总长) 被顺序的元素的层免职在房间温度在真空准备。同样扔的电影为化合物之形成在真空被加热，并且第一次象 1250 deg C 一样高在温度被学习。这些电影并发地被学习因为他们由 X-raydiffraction (XRD ) technique.The XRD 分析的结构的性质包括阶段转变研究，有反应温度和时间的谷物尺寸变化 andmicrostrain 大小。有在所有这些参数的变化的三个不同区域，这被观察了。这些区域属于三温度 regimes: 950 deg C.It 也被看见化合物之形成在 250 deg C 开始，与出现在 350 deg C 的第三的阶段以上。而，没有任何偏爱，在 950 deg C 有另一阶段移动。