In situ Raman spectroscopy of topological insulator Bi2Te3 films with varying thickness

Abstract

拓扑的绝缘体(TI ) 大批是有乐队差距的量物质的一个新状态，进行表面说。在这个工作，分子的横梁取向附生(MBE ) 准备的拓扑的绝缘体 Bi2Te3 电影的拉曼系列被测量了由一在里面 situ 超离频真空(UHV )-MBE-Raman 光谱学系统。Bi2Te3 的厚度什么时候拍摄，减少从 40 五倍层(QL ) 到 1 QL，光谱大批出现的一些拉曼模式的特征 Bi2Te3 变化并且一个新震动的模式出现，它没在以前的研究被报导并且可能与量尺寸效果并且对称碎有关。另外，当一个迪拉克锥形成了时，一个明显的变化在 3 QL 被观察。这些结果在 TI 的新奇的量状态附近为一些提供新信息。