Dielectric Property Study of Copper Ionic Migration at Insulation Layer on Metal Base PWB.

Abstract

金属べースプリント配線板の層方向に発生する銅イオンマイグレーションの発生プロセスを検討するため, 誘電特性 (絶縁抵抗R, 静電容量C, 誘電正接tanδ) による検出を試みるとともに課電時間ごとの観察を行った。その結果, (1) 当初マイグレーションにより絶縁抵抗Rは低下, 静電容量Cは増加すると考えられたが, 分極現象によりRは増加, Cは低下してしまうという逆の結果となり, 誘電特性からその成長を検出することはできなかった。 (2) 課電試験後に絶縁材料中のイオン分布を分析した結果, Cl, Sが電極近傍に偏在していることが確認され, 分極は解離イオンによるイオン分極が原因であることがわかった。なおイオン分極が顕著な材料ほどマイグレーションが発生しやすいことから, 誘電特性によってその発生, 成長メカニズムを検討するには, イオンの挙動を知ることがポイントと考えられる。