Low-temperature pressureless sintering of β-silicon carbide with aluminum oxide and yttrium oxide additions

Abstract

On a fritte β-SiC a plus de 95% de la densite theorique entre 1850 et 1950°C avec addition de Al 2 O 3 et Y 2 O 3 . On a realise la densification en utilisant une phase liquide formee entre Al 2 O 3 , Y 2 O 3 et SiO 2 a environ 1760°C. Le liquide presente une bonne mouillabilite vis-a-vis de SiC. La ceramique obtenue a un grain fin, subit peu de transformation vers la phase α et presente une durete moyenne de 25 GPa pour 6 vol% Al 2 O 3 + Y 2 O 3 .