WSR section topography of ‘Inert’ gas diffusion/precipitation in CZ-(110) dislocation-f ree Si (Monochromator) crystals)

Abstract

He, Ne, Ar, and Kr ‘inert’ gases are separately quenched in CZ dislocation-f ree (110)-Si wafers (from ≃ 610 °C to room temperature, 28 °C) using an X-r ay oven. White synchrotron radiation section topographs (WSRST's) show point defect precipitation/clusters after each quench and a deterioration in crystal (pendellösung) perfection. Relatively small cluster concentrations are observed for Ne and Ar. The experiment simulates changes in the perfection of first WSR monochromator diffracting surfaces when housed in different ‘inert’ gases after high intensity (wiggler/undulator) beam switch-o ff. Versetzungsfreie CZ-(110)-Siliziumwafer in Inertgasatmosphären von He, Ne, Ar und Kr werden in einer heizbaren Röntgenkammer von 610 °C auf Raumtemperatur abgeschreckt. Die Sektions-t opogramme mit weißer Synchrotronstrahlung (WSRST) zeigen Punkdefekt-P räzipitation (Cluster) und Störungen in der Kristall-“Güte” (im Muster der Pendellösungs-S treifen). Eine wesentliche Reduzierung der Cluster-K onzentration wird bei Ne und Ar beobachtet. Die Untersuchungen simulieren die Änderungen der Einkristallstruktur in Synchrotron-P rimärmonochromatoren nach Strahlab-s chaltung in verschiedenen Edelgasatmosphären.