Electrical and optical properties of the amorphous As2Se3Agx System

Abstract

Optical absorption coefficient and dc conductivity of amorphous As2Se3Agx system are measured as a function of silver content up to 4 at %. The samples are prepared by various methodes, that is, melt quenching, vacuum evaporation, and bubble blowing technique. The results obtained on different kinds of samples are compared with each other, and reasonable curves of absorption coefficient are found. The activation energy of conductivity decreases with increase of silver content. It decreases rapidly in the lower concentration region but slowly in the higher one. In the latter region, the decrease of the activation energy corresponds to the change in optical gap energy. It is considered, therefore, that silver additive shifts the Fermi level in the lower concentration region and shifts the band edge in the higher one. Der optische Absorptionskoeffizient und die Gleichstrom-Leitfähigkeit des amorphen As2Se3Agx-Systems werden in Abhängigkeit vom Silbergehalt bis zu 4 At % untersucht. Die Proben werden durch verschiedene Methoden, Abschrecken aus der Schmelze, Aufdampfen, und Blasen hergestellt. Die an verschiedenen Proben erzielten Ergebnisse werden miteinander verglichen und vernünftige Kurven für den Absorptionskoeffizienten erreicht. Die Aktivierungsenergie der Leitfähigkeit nimmt mit zunehmenden Silbergehalt ab, und zwar schnell im Gebiet niedriger Konzentration, jedoch langsam im Gebiet höherer Konzentration. Diese Abnahme korrespondiert mit der Änderung der optischen Energielücke im letzteren Gebiet. Deshalb kann man annehmen, daß das Hinzufügen von Silber das Fermi-Niveau im Gebiet niedrigerer Konzentration verschiebt, und im Gebiet höherer Konzentration den Bandrand.