Crystal structure and interatomic distances in GaSe

Abstract

After a comparison of the β-, ϵ-, γ-, and δ-type GaSe crystal structures, the different interlayer interactions are discussed. New values for the intralayer interatomic distances Se–Ga = 2.463 (15) Å, Ga–Ga = 2.457 (18) Å, and the interlayer distance Se–Se = 3.880 (15) Å are proposed. These are mean values for the δ-type determined with a higher accuracy than the previous ones, relevant to the ϵ- and γ-type structure. The influence of the growth method on crystal type and dislocation density are discussed. Nous comparons les types β, ϵ, γ et δ et nous discutons les différentes interactions intercouches. Nous proposons de nouvelles valeurs pour les distances interatomiques Se–Ga = 2,463 (15) Å, Ga–Ga = 2,457 (18) Å intracouches et Se–Se = 3,880 (15) Å intercouches. Ce sont les valeurs moyennes pour le type δ déterminées avec plus de précision que celles des types ϵ et γ déjà publiées. Nous discutons l′influence des méthodes de croissance sur le type de structure et sur les densités de dislocations.