On some proton radiation effects in silicon

Abstract

IR optical properties of 9 MeV proton bombarded silicon are studied as a function of implantation dose. Correlations between IR absorption band intensities are observed. To explain the measured effects, the simple “temperature spike” model is discussed. Some numerical calculations concerning the dose effects are presented. Comparisons with previously known data are also made. On a étudié les propriétés optiques IR du silicium bombardé de 9 MeV protons en fonction de la dose implantée. On a constaté une correlation entre les bandes IR d'absorption. Pour expliquer les effets obtenus on a discuté les „temperature spikes”︁. On a présenté les calculs numériques concernant les effets liés à la dose. On a comparé les résultats obtenus actuellement avec les précédents.