Disorder in the quasi-one-dimensional conductor monoclinic tantalum trisulfide TaS3

Abstract

2014 Nous avons irradié aux neutrons et aux électrons, des monocristaux de trisulfure de tantale TaS3, mesuré leur résistance en fonction de la température avant et après irradiation, et suivi à 7 K dans un microscope électronique à haute tension l'évolution sous irradiation des diagrammes de microdiffraction électronique.Même à des concentrations de l'ordre de 10-3 at., les défauts d'irradiation sont capables d'épingler les ondes de densité de charge, d'empêcher leur mise en ordre à basse température et de gommer les transitions de phase des courbes résistance-température.En dépit de tout ceci les propriétés de la phase isolante ne sont guère affectées par l'irra- diation et TaS3 apparait comme le premier conducteur unidimensionnel dans lequel l'épinglage des ondes de densité de charge ne produit aucun changement dans la résistivité à basse température.Abstract.2014 Single crystals of monoclinic tantalum trisulfide TaS3 have been irradiated with fast electrons and neutrons.Resistivity versus temperature curves have been recorded, before and after irradiation from 30 to 300 K and electron diffraction patterns have been followed, in situ, during irradiation at 7 K in a high voltage electron microscope.Irradiation defects even in low concentrations of about 10-3 have been shown to pin the charge density waves, to prevent their low temperature ordering and to smear out the phase transitions from the resistivity versus temperature curves.In spite of that, the insulating low temperature properties do not disappear.In fact, the mono- clinic TaS3 is shown to be the first low dimensional conductor in which the pinning of the charge density waves produces no change in the low temperature resistivity.