Nature of thermal donors in silicon crystals

Abstract

The formation process of thermal donors in Czochralski-grown silicon crystals at 471.3 °C is studied by means of the optical absorption at a low temperature. The development of six kinds of thermal donors, termed TD-1 through TD-6, is followed separately. Experimental results obtained are analyzed with the modified Kaiser et al. method. The numbers of oxygen atoms involved in TD-3, TD-4, TD-6, and TD-6 are determined to be 6, 6, 7, and 8, respectively, and those involved in TD-1 and TD-2 are suggested to be 3 and 4, respectively. Der Bildungsprozeß von Thermodonatoren in Czochralski-Silizium-Kristallen bei 471,3 °C wird mittels optischer Absorption bei einer tiefen Temperatur untersucht. Die Entwicklung von sechs Arten von Thermodonatoren, TD-1 bis TD-6, wird getrennt verfolgt. Die erhaltenen experimentellen Ergebnisse werden mit einer modifizierten Methode von Kaiser et al. analysiert. Die Anzahl der Sauerstoffatome, die an TD-3, TD-4, TD-5 und TD-6 beteiligt sind, wird zu 6, 6, 7 bzw. 8 bestimmt, und es wird angenommen, daß an TD-1 und TD-2 3 bzw. 4 beteiligt sind.