Photoconductive gain of semiconductor epitaxial layers

Abstract

A model is proposed for the interpretation of the dependence of photoconductive gain (PG) of semiconductor epitaxial layers upon photon flux and absolute temperature. The model takes into account the macroscopic potential barrier existing within the interface of the epitaxial layer/substrate devices (ESD) as well as the current/voltage characteristic of the illuminated ESD. Es wird ein Modell für die Interpretation der Photoleitungsverstärkungs-Abhängigkeit von epitaktischen Halbleiterschichten von Photonenfluß und absoluter Temperatur vorgeschlagen. Das Modell berücksichtigt sowohl die makroskopische Potentialbarriere, die innerhalb der Grenzfläche der Epitaxieschicht/Substrat-Bauelemente (ESD) existiert als auch die Strom/Spannungscharakteristik der belichteten ESD.