Microcracks observed in epitaxial thin films of YBa2 Cu3O7–δ and GdBa2Cu3O7–δ

Abstract

Microcracking of epitaxially c-oriented YBa2Cu3O7–δ and GdBa2Cu3O7–δ thin films is observed to preferentially occur on buffered, R-cut sapphire substrates of 3 in diameter in comparison to smaller substrates and other substrate materials such as MgO, SrTiO3, and LaAlO3. The area density and the crystallographic appearance of the crack pattern can vary considerably across a given surface, from sample to sample, and in dependence on the temperature treatment. These dependencies indicate the crack behaviour to be seriously affected by the microstructure. The latter is studied by optical, electron, and atomic force microscopy. Cross-sectioning TEM reveals cracks to locally separate the HTSC film from the buffer layer. Optical microscopy using transmitted polarized light is found to be a straightforward, sensitive survey method to observe the microcracking behaviour. Mikrorisse von epitaktisch c-orientierten YBa2Cu3O7–δ- und GdBa2Cu3O7–δ-Dünnschichten zeigen sich bevorzugt auf mit Pufferschicht versehenen, R-orientierten Saphirsubstraten von 3 in Durchmesser im Vergleich zu kleineren Substraten und anderem Substratmaterial wie MgO, SrTiO3 und LaAlO3. Die Flächendichte und das kristallographische Bild der Risse kann beträchtlich variieren, und zwar längs einer gegebenen Oberfläche, von Probe zu Probe sowie in Abhängigkeit von der Temperaturbehandlung. Diese Abhängigkeiten deuten auf einen starken Einfluß der Mikrostruktur. Letztere wird mittels optischer, Elektronen- und Rastersondenmikroskopie untersucht. Die TEM-Querschnittsabbildung zeigt Risse, welche die HTSL-Schicht lokal von der Pufferschicht trennen. Die Lichtmikroskopie im polarisierten Durchlicht erweist sich als eine rationelle, empfindliche Übersichtsmethode zur Beobachtung des Rißverhaltens.