Experimental determination of the disorder energy in amorphous V205 layers deposited from gels

Abstract

The temperature dependence of the dc conductivity of V2O5, layers ≈ 500 nm thick is studied from room temperature down to 28 K. The following vaiues are deduced: activation energy for hopping, WH ≈ 0.09 eV, Anderson disorder energy, WD = 0.13 eV, and the Debye temperature, θD ≈ 325 K. Nous avons étudié la variation de la conductivite de films de V2O5, (épaisseur 500 nm) entre 300 et 28 K. A partir de ces mesures nous déduisons les valeurs suivantes: énergie de saut WH ≈ 0.09 eV, énergie de désordre d'Anderson WD = 0,13 eV et temperature de Debye θD ≈ 325 K.