Diffusion of donor elements (125Sb,82P,74(73)As) in polycrystalline silicon

Abstract

The diffusion of donor elements in fine-grained and coarse-grained polycrystalline silicon is studied in the temperature range from 900 to 1150°C. The radioisotopes 125Sb, 32P, and 74(73)As are used to measure concentration-depth profiles by the sectioning technique. By autoradiography the lateral distribution of the radiotracers over the sample surface is made visible. An extensive comparison with literature data is given. Die Diffusion der Donatorelemente in feinkörnigem und grobkörnigem polykristallinem Silizium wird im Temperaturbereich von 900 bis 1150°C untersucht. Die Radioisotope 125Sb, 32P und 74(73)As werden in der ‘sectioning’-Technik für die Bestimmung der Tiefenprofile der Aktivität verwendet und auch für Autoradiographie, womit die Verteilung der Radioaktivität über die Oberfläche sichtbar gemacht werden kann. Die Daten werden ausführlich mit Literaturergebnissen verglichen.