Characterization of Semiconductor Epitaxial Layer Interfaces by Persistent Photoconductivity

Abstract

The impurity concentration and the carrier mobility are determined as functions of depth within semiconductor epitaxial layer interfaces by persistent photoconductivity (PP) measurements. The characterisation model through which the dependence of the PP upon cummulative photon dose is processed takes into account the macroscopic potential barrier between the epitaxial layer and the substrate of the samples. Störstellenkonzentration und Trägerbeweglichkeit werden als Funktionen der Tiefe in der Halbleiterepitaxieschicht mittels persistenter Photoleitungs-(PP)-Messungen bestimmt. Das Modell, mil dem die Abhängigkeit der PP von der kummuiativen Photonendosis behandelt wird, berücksichtigt die makroskopische Potentialbarriere zwischen der Epitaxieschicht und dem Subslrat der Proben.