Deep Level Transient Spectroscopy of Mo/GaAs Schottky Barriers Prepared by DC Sputtering

Abstract

DC sputtering of molybdenum allows the realization of near ideal Schottky barriers provided suitable deposition conditions are utilized. DLTS investigation shows that this kind of deposition process does not introduce damage defects if the sputtering voltage is below 2.5 kV, in our experimental conditions. The electrical characteristics get worse and a reduction in EL2 signal is evident for diodes prepared at the highest sputtering voltage. The reduction in EL2 signal is not an apparent effect related to the lowering of the barrier but it is strictly correlated to the damage due to the metal deposition process. A model, based on the outdiffusion of interstitial and antisite As, is proposed to interpret the experimental data. Le DC sputtering de Molybdène permet de réalizer des barrières Schottky presque idéales, pourvu qu'on utilise d'aptes conditions de déposition. L'investigation DLTS démontre que ce procédure de déposition n'amène pas de défauts parl'Endommagement si la tension du sputtering, dans nos conditions expérimentales, est inférieure à 2,5 kV. Au contraire, les caractéristiques électriques se déteriorent et on remarque une réduction dans le signal EL2 pour les diodes préparés à la tension de sputtering la plus haute. La réduction dans le signal EL2 n'est pas un effet apparent en relation avec l'abaissement de la barriére mais elle est liée à l'Endommagement causé de la procédure de déposition du metal. Les résultats expérimentaux ont été interpretés en proposant un modéle, fondé sur la diffusion de As interstitiel et antisite.